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在片测试 | ![]() |
提供高精度、大功率、射频、光电在片测试系统



汞探针无损CV
快速材料特性表征
圆点、圆环的汞接触,便于建模
公司自有专利技术,形成规则的图形,便于物理建模,并实现精确的电容电压测量。
可用于评估SiC、AlGaN/GaN、Ga2O3等半导体材料中的载流子浓度及其深度分布信息,还可以用来测量绝缘体与半导体界面的界面态特性以及介质层的漏电和击穿特性
支持样品同一侧的汞接触以及上下电极的接触方式
根据衬底的导电类型选择合适的接触方式,便于测试
CV测量之外还支持IV的测量
配套软件支持控制Keysight E4980A以及Keysight B150x的MFCMU,同时可以基于B150x进行IV测量,研究介质的漏电特性

高压、大电流功率芯片
在片测试系统
高电压测量
高压三同轴结构保证了高压下同样可以实现精确的低漏电测量;高压三同轴结构chuck同样可以实现芯片背面加电时的精确测量。
Kelvin结构大电流探针
独有的Kelvin结构探针可以减小连线的复杂度,实现小电阻、大电流的精确测量。
安全保护
独有的安全保护方案,避免高压下的尖端放电;探针台与源表的互锁保证了高压时用户的人生安全。

